M29DW323DB70N6E 是美光科技推出的一款32Mb并行NOR闪存芯片，提供4M x 8位或2M x 16位的灵活存储组织方式。该器件采用非易失性存储技术，确保数据在断电后得以保存，其70ns的快速访问时间和写周期时间，为需要高速数据读取和程序执行的嵌入式应用提供了性能保障。
芯片工作于2.7V至3.6V的宽电压范围，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度，具备良好的环境适应性。其标准的并联接口便于与主流处理器直接连接，48-TSOP的表面贴装封装则有利于实现紧凑的电路板设计。这些特性使其适用于对可靠性和实时性有较高要求的工业控制、汽车电子及通信设备等领域。
- 型号:M29DW323DB70N6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:32Mb
- 存储器组织:4M x 8，2M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
- 想获取M29DW323DB70N6E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
