M28W640HCT70ZB6F TR

M28W640HCT70ZB6F TR是美光科技生产的一款64Mb并行NOR闪存芯片，采用4M x 16位的存储结构。该器件提供70ns的快速访问时间和70ns的字写入时间，支持在2.7V至3.6V电压及-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作。

其核心优势在于通过并联接口实现高速数据吞吐和可靠的代码就地执行（XIP），非常适合作为嵌入式系统的启动和程序存储介质。芯片采用48-TFBGA表面贴装封装，具备非易失性数据存储特性，主要面向对数据可靠性和实时性有高要求的工业控制、汽车电子及网络设备等应用领域。

• 制造商产品型号：M28W640HCT70ZB6F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：剪切带（CT）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NOR
• 存储容量：64Mb（4M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：70ns
• 访问时间：70ns
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：48-TFBGA
• 想获取M28W640HCT70ZB6F TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料