M28W640HCB70ZB6E

M28W640HCB70ZB6E是美光科技推出的一款64Mb（4M x 16位组织方式）并行NOR闪存芯片。它采用非易失性存储技术，提供70ns的快速访问时间和写周期时间，确保了高效的数据读写性能，适用于对实时性有要求的嵌入式代码执行场景。

该器件工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容性良好，并能在-40°C至85°C的工业级宽温范围内稳定运行。其采用48-TFBGA表面贴装封装，有利于实现紧凑的电路板设计。作为一款成熟的并行闪存解决方案，它主要面向需要可靠存储和直接执行固件的工业控制、通信及汽车电子等应用。

• 型号:M28W640HCB70ZB6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TFBGA（6.39x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFBGA
• 供应商器件封装:48-TFBGA（6.39x10.5）
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