EDB1316BDBH-1DAAT-F-D 是美光科技推出的一款1Gb容量移动LPDDR2 SDRAM。该器件采用64M x 16位的组织架构和并联接口，核心优势在于其533MHz的高时钟频率与1.14V ~ 1.95V的宽电压供电范围，这共同实现了高性能与低功耗的平衡，专为对能效敏感的移动和嵌入式平台设计。
其采用134-VFBGA小型化封装，支持表面贴装，适用于空间紧凑的PCB布局。此外，-40°C至105°C的宽工作温度范围确保了其在工业、汽车等恶劣环境下的可靠性。这些参数特性使其成为智能手机、便携式设备及各类要求高带宽、低功耗和强环境适应性的电子系统的理想存储器解决方案。
- 型号:EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:134-VFBGA（10x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:134-VFBGA
- 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5）
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