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MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR
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MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR价格
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MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR技术资料
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MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR
存储器
制造厂商:
美光(MICRON)
功能简述:
IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
原厂封装:
200-WFBGA
优势价格,MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR的技术资料下载
MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供
制造商产品型号:MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR
制造商:Micron Technology(美光科技)
描述:IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
产品系列:存储器
包装:卷带(TR)
系列:-
零件状态:停产
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
存储容量:12Gb(384M x 32)
存储器接口:-
时钟频率:2.133GHz
写周期时间-字,页:-
访问时间:-
电压-供电:0.6V,1.1V
工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
安装类型:表面贴装型
产品封装:200-WFBGA
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