MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E

存储器

制造厂商：美光(MICRON)

功能简述：IC DRAM 64GBIT 2133MHZ 376WFBGA

原厂封装：376-WFBGA

优势价格，MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

制造商产品型号：MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E

制造商：Micron Technology（美光科技）

描述：IC DRAM 64GBIT 2133MHZ 376WFBGA

产品系列：存储器

包装：托盘

系列：-

零件状态：有源

存储器类型：易失

存储器格式：DRAM

技术：SDRAM - Mobile LPDDR4

存储容量：64Gb（1G x 64）

存储器接口：-

时钟频率：2133MHz

写周期时间-字，页：-

访问时间：-

电压-供电：1.1V

工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）

安装类型：表面贴装型

产品封装：376-WFBGA

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