MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

存储器

制造厂商：美光(MICRON)

功能简述：IC DRAM 8GBIT 1600MHZ 200WFBGA

原厂封装：200-WFBGA

优势价格，MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

制造商产品型号：MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

制造商：Micron Technology（美光科技）

描述：IC DRAM 8GBIT 1600MHZ 200WFBGA

产品系列：存储器

包装：卷带（TR）

系列：-

零件状态：停产

存储器类型：易失

存储器格式：DRAM

技术：SDRAM - Mobile LPDDR4

存储容量：8Gb（256M x 32）

存储器接口：-

时钟频率：1600MHz

写周期时间-字，页：-

访问时间：-

电压-供电：1.1V

工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）

安装类型：表面贴装型

产品封装：200-WFBGA

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