MT40A1G8WE-083E AAT:B TR

存储器

制造厂商：美光(MICRON)

功能简述：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

原厂封装：78-TFBGA

优势价格，MT40A1G8WE-083E AAT:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

MT40A1G8WE-083E AAT:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

制造商产品型号：MT40A1G8WE-083E AAT:B TR

制造商：Micron Technology（美光科技）

描述：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

产品系列：存储器

包装：卷带（TR）,剪切带（CT）

系列：-

零件状态：停产

存储器类型：易失

存储器格式：DRAM

技术：SDRAM - DDR4

存储容量：8Gb（1G x 8）

存储器接口：并联

时钟频率：1.2GHz

写周期时间-字，页：-

访问时间：-

电压-供电：1.14V ~ 1.26V

工作温度：-40°C ~ 105°C（TC）

安装类型：表面贴装型

产品封装：78-TFBGA

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