MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR

存储器

制造厂商：美光(MICRON)

功能简述：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA

原厂封装：132-VBGA

优势价格，MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

制造商产品型号：MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR

制造商：Micron Technology（美光科技）

描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA

产品系列：存储器

包装：卷带（TR）

系列：-

零件状态：有源

存储器类型：非易失

存储器格式：闪存

技术：闪存 - NAND

存储容量：512Gb（64G x 8）

存储器接口：并联

时钟频率：267MHz

写周期时间-字，页：-

访问时间：-

电压-供电：2.7V ~ 3.6V

工作温度：0°C ~ 70°C（TA）

安装类型：表面贴装型

产品封装：132-VBGA

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