MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R

存储器

制造厂商：美光(MICRON)

功能简述：IC FLASH 256GBIT PARALLEL WAFER

原厂封装：-

优势价格，MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

制造商产品型号：MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R

制造商：Micron Technology（美光科技）

描述：IC FLASH 256GBIT PARALLEL WAFER

产品系列：存储器

包装：散装

系列：-

零件状态：有源

存储器类型：非易失

存储器格式：闪存

技术：闪存 - NAND

存储容量：256Gb（32G x 8）

存储器接口：并联

时钟频率：-

写周期时间-字，页：-

访问时间：-

电压-供电：2.5V ~ 3.6V

工作温度：0°C ~ 70°C（TA）

安装类型：-

产品封装：-

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