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MT29E3T08EUHBBM4-3:B
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MT29E3T08EUHBBM4-3:B价格
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MT29E3T08EUHBBM4-3:B技术资料
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MT29E3T08EUHBBM4-3:B
存储器
制造厂商：
美光(MICRON)
功能简述：
IC FLASH 3TB PARALLEL 333MHZ
原厂封装：
-
优势价格，MT29E3T08EUHBBM4-3:B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MT29E3T08EUHBBM4-3:B的技术资料下载
MT29E3T08EUHBBM4-3:B的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供
制造商产品型号：MT29E3T08EUHBBM4-3:B
制造商：Micron Technology（美光科技）
描述：IC FLASH 3TB PARALLEL 333MHZ
产品系列：存储器
包装：托盘
系列：-
零件状态：不適用於新設計
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：闪存 - NAND
存储容量：3Tb（384G x 8）
存储器接口：并联
时钟频率：333MHz
写周期时间-字，页：-
访问时间：-
电压-供电：2.5V ~ 3.6V
工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：-
产品封装：-
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